Gartner: Intel Tri-Gate steht vor mobilen Herausforderungen

Intels neue Tri-Gate-Transistor-Design wird nicht ausreichen, um das Unternehmen die Ambitionen in der Handy-und Tablet-Märkte zu erreichen, ein Gartner-Analyst gesagt hat.

Im Gespräch mit der Website UK am Donnerstag, sagte Gartner Vizepräsident Ken Dulaney, dass das neue Design, das Intel beabsichtigt, in seine bevorstehende ‘Ivy Bridge’ 22nm Prozessoren zu bauen, war ein “bedeutender Durchbruch für die Technologie, aber es nicht automatisch geben ihnen ein Einstieg in den mobilen Markt “.

Die heutigen Smartphones und Tablets laufen fast ausschließlich auf ARM-basierten Chips, anstatt auf Prozessoren, die Intel x86-Architektur verwenden. Dies ist hauptsächlich darauf zurückzuführen, dass die Architektur von ARM traditionell optimiert wurde, um sehr wenig Strom zu verwenden, was eine vernünftige Batterielebensdauer auf solchen Geräten ermöglicht. Ivy Bridge ist dazu bestimmt, Intels mächtigstes Design zu sein, das auf niedriger Leistung laufen wird.

Texas Instruments [TI], Qualcomm und sogar Nvidia sind harte Konkurrenten [Intel] haben einige technologische Vorteile, aber eine Menge, was [Hersteller] kaufen ist eine Verpackung Sache – Multimedia-, Basisband-Verpackung und so weiter “, sagte Dulaney, Und] es gibt andere Dinge, die wichtig sind, andere Technologien, die auf den Hauptprozessor, dass [Intel hat], um gute Fähigkeiten haben zu gehen.

Eine besondere Herausforderung für Intel, so Dulaney, ist die Kommunikationstechnik. Er wies darauf hin, dass es dem Unternehmen bisher nie gelungen sei, im Bereich der Breitbandkommunikation erfolgreich zu sein. – Intel schob WiMax zum Beispiel hart, aber diese Technologie hat LTE für die Krone von ‘4G’ weitgehend verloren Grundlegende Fähigkeiten, um im Umgang mit Telefon-Hersteller haben.

Laut Dulaney sind Tablets “wirklich große Smartphones, nicht kleine PCs”, so dass ihre Hersteller – die meist Smartphone-Hersteller sind – bereits eine gute Beziehung zu TI, Qualcomm und anderen haben.

Das Tri-Gate-Transistor-Design von Intel bildet leitende Kanäle auf drei Seiten einer vertikalen Flosse, die das Gate des Transistors kreuzt. Im Vergleich zur herkömmlichen flachen Ebene, die für solche Kanäle verwendet wird, sollte Intels Ansatz Energieverluste reduzieren und die Leistung pro Watt erhöhen.

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